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三星高管:预计明年HBM将占DRAM全球产能近三成 传统DRAM供应承压

2026-10-01 · yuantongda.com

三星高管:预计明年HBM将占DRAM全球产能近三成 传统DRAM供应承压

AI需求推动存储厂商加码HBM,传统DRAM供应承压。三星高管预计明年HBM将占全球DRAM晶圆总产能近三成,市场研究机构同时上调了2027年HBM价格预期。 据媒体当地时间9月29日报道,三星 电子 执行副总裁Kim Taewoo当天表示, 预计明年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%,目前该比例约为20%。 Kim Taewoo称,HBM与传统DR

AI需求推动存储厂商加码HBM,传统DRAM供应承压。三星高管预计明年HBM将占全球DRAM晶圆总产能近三成,市场研究机构同时上调了2027年HBM价格预期。

据媒体当地时间9月29日报道,三星 电子 执行副总裁Kim Taewoo当天表示, 预计明年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%,目前该比例约为20%。

Kim Taewoo称,HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能, 扩大HBM产出可能挤压传统DRAM供应 。

半导体 市场研究机构TrendForce此前预测显示,2027年底,全球三大HBM供应商的HBM晶圆投入预计约占DRAM晶圆总投入的30%,但按存储容量计,仅能贡献约13%的DRAM总供应量。

据媒体当地时间9月20日报道,三星已于今年2月开始量产出货HBM4,5月向包括 英伟达 在内的客户提供了12层HBM4E样品。

报道还称,业内预计三星HBM月均晶圆投入量将由今年约18万片增至明年约25万片,增幅近四成。

TrendForce同日(9月29日)表示,AI服务器需求持续,HBM与通用DRAM仍将分享有限的先进制程产能,2027年存储供应将维持偏紧。

TrendForce同时上调了2027年HBM价格预期, 预计混合平均售价将同比上涨121%,主要考虑供应持续受限、高价HBM4占比提升,以及HBM4E在2027年下半年逐步放量。

该机构还指出,受HBM供应有限和系统成本快速上升影响,GPU和ASIC厂商正考虑降低单颗芯片的HBM搭载容量,单个堆栈成本更低的8层HBM预计将成为2027年多家厂商优先评估的方案。

由于每个HBM堆栈都需要一颗基础裸片,其成本不会随DRAM层数减少而等比下降,TrendForce预计2027年8层HBM每Gb的售价将比12层产品高约10%至20%。

TrendForce于8月25日曾指出,服务器DRAM合约价在2025年下半年累计上涨64%,预计2026年全年累计涨幅约270%。

(原标题:三星高管:预计明年HBM将占DRAM全球产能近三成,传统DRAM供应承压)

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